Número de peza :
TK50P04M1(T6RSS-Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 500µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
38nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2600pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DP
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63