TK50P04M1(T6RSS-Q) Prezos (USD) [260070unidades de stock]
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- Número de peza:
- TK50P04M1(T6RSS-Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Módulos de controlador de enerxía, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos: rectificadores de ponte ...
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TK50P04M1(T6RSS-Q) Atributos do produto
Número de peza :
TK50P04M1(T6RSS-Q)
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
Serie :
U-MOSVI-H
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 500µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2600pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DP
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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