Número de peza :
DGD2103MS8-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Configuración conducida :
Half-Bridge
Tipo de canle :
Independent
Tipo de porta :
IGBT, N-Channel MOSFET
Tensión - subministración :
10V ~ 20V
Tensión lóxica - VIL, VIH :
0.8V, 2.5V
Actual - Saída máxima (fonte, afundimento) :
290mA, 600mA
Tipo de entrada :
Inverting, Non-Inverting
Tensión lateral elevada: máx. :
600V
Tempo de subida / caída (típico) :
70ns, 35ns
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO