Número de peza :
1EDN8511BXUSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Configuración conducida :
Half-Bridge, Low-Side
Tipo de porta :
N-Channel, P-Channel MOSFET
Tensión - subministración :
8V ~ 20V
Tensión lóxica - VIL, VIH :
1.2V, 1.9V
Actual - Saída máxima (fonte, afundimento) :
4A, 8A
Tipo de entrada :
Inverting, Non-Inverting
Tensión lateral elevada: máx. :
-
Tempo de subida / caída (típico) :
6.5ns, 4.5ns
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
SOT-23-6
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-SOT23-6-2