IPD70R600P7SAUMA1 Prezos (USD) [243461unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPD70R600P7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Módulos de controlador de enerxía and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Ventaxa competitiva:
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IPD70R600P7SAUMA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPD70R600P7SAUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Serie :
CoolMOS™ P7
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
700V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
600 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 90µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
10.5nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
364pF @ 400V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
43W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO252-3
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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