TPW1R306PL,L1Q Prezos (USD) [66799unidades de stock]
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- Número de peza:
- TPW1R306PL,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Módulos de controlador de enerxía, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Unión programable, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - IGBTs - Arrays ...
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TPW1R306PL,L1Q Atributos do produto
Número de peza :
TPW1R306PL,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie :
U-MOSIX-H
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
260A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.29 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
91nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
8100pF @ 30V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de operación :
175°C
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-DSOP Advance
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
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