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- Número de peza:
- SIDC24D30SIC3
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE SILICON 300V 10A WAFER.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Single, Tiristores: TRIAC, Diodos - Rectificadores - Solteiros and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
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SIDC24D30SIC3 Atributos do produto
Número de peza :
SIDC24D30SIC3
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Serie :
-
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo de diodo :
Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
300V
Actual - Media rectificada (Io) :
10A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.7V @ 10A
Velocidade :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
0ns
Actual - Fuga inversa @ Vr :
200µA @ 300V
Capacitancia @ Vr, F :
600pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
Die
Paquete de dispositivos de provedores :
Sawn on foil
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
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