TSM10N80CZ C0G Prezos (USD) [27833unidades de stock]
- 1 pcs$1.48075
- Número de peza:
- TSM10N80CZ C0G
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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TSM10N80CZ C0G Atributos do produto
Número de peza :
TSM10N80CZ C0G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición :
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
800V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
9.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
53nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2336pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
48W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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