Fabricante :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrición :
MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
72 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.8V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
415pF @ 50V
Disipación de potencia (máx.) :
2.8W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
6-DFN-EP (2x2)
Paquete / Estuche :
6-UDFN Exposed Pad