Infineon Technologies - IKW75N65EL5XKSA1

KEY Part #: K6423427

IKW75N65EL5XKSA1 Prezos (USD) [9258unidades de stock]

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Número de peza:
IKW75N65EL5XKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Tiristores: TRIAC, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Rectificadores - Arrays, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IKW75N65EL5XKSA1 Atributos do produto

Número de peza : IKW75N65EL5XKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3
Serie : TrenchStop™ 5
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : -
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 650V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 80A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) : 300A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 1.35V @ 15V, 75A
Potencia: máx : 536W
Enerxía de conmutación : 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga de porta : 436nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C : 40ns/275ns
Condición da proba : 400V, 75A, 4 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) : 114ns
Temperatura de operación : -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-247-3
Paquete de dispositivos de provedores : PG-TO247-3