HGTP5N120BND Prezos (USD) [56538unidades de stock]
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- Número de peza:
- HGTP5N120BND
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- IGBT 1200V 21A 167W TO220AB.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Transistores - JFETs ...
- Ventaxa competitiva:
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HGTP5N120BND Atributos do produto
Número de peza :
HGTP5N120BND
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
Serie :
-
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
NPT
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
21A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) :
40A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 5A
Potencia: máx :
167W
Enerxía de conmutación :
450µJ (on), 390µJ (off)
Tipo de entrada :
Standard
Carga de porta :
53nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C :
22ns/160ns
Condición da proba :
960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) :
65ns
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-220-3
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-220-3
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