Vishay Siliconix - SQJQ906E-T1_GE3

KEY Part #: K6522881

SQJQ906E-T1_GE3 Prezos (USD) [74376unidades de stock]

  • 1 pcs$0.52571

Número de peza:
SQJQ906E-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrición detallada:
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Tiristores: TRIAC, Tiristores: SCRs, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Unión programable ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in Vishay Siliconix SQJQ906E-T1_GE3 electronic components. SQJQ906E-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJQ906E-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJQ906E-T1_GE3 Atributos do produto

Número de peza : SQJQ906E-T1_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrición : MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK8X8
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado da parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Función FET : Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 42nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 3600pF @ 20V
Potencia: máx : 50W
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : PowerPAK® 8 x 8 Dual
Paquete de dispositivos de provedores : PowerPAK® 8 x 8 Dual

Tamén pode estar interesado
  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.

  • SH8K3TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8.

  • SI4804CDY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC.

  • SH8M3TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8.