STH315N10F7-2 Prezos (USD) [26267unidades de stock]
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- Número de peza:
- STH315N10F7-2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos: rectificadores de ponte, Tiristores: SCRs and Transistores - Unión programable ...
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STH315N10F7-2 Atributos do produto
Número de peza :
STH315N10F7-2
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Serie :
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
180A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
12800pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
315W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
H2Pak-2
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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