DMN3016LK3-13 Prezos (USD) [409104unidades de stock]
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- 2,500 pcs$0.08092
- Número de peza:
- DMN3016LK3-13
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Tiristores - SCRs - Módulos, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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DMN3016LK3-13 Atributos do produto
Número de peza :
DMN3016LK3-13
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
12.4A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
25.1nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1415pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.6W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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