BTS282ZE3230AKSA2 Prezos (USD) [15716unidades de stock]
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- 500 pcs$1.25086
- 1,000 pcs$1.00084
- Número de peza:
- BTS282ZE3230AKSA2
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Diodos - RF ...
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BTS282ZE3230AKSA2 Atributos do produto
Número de peza :
BTS282ZE3230AKSA2
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Serie :
TEMPFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
49V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 240µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
232nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4800pF @ 25V
Función FET :
Temperature Sensing Diode
Disipación de potencia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operación :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220-7-12
Paquete / Estuche :
TO-220-7
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