STMicroelectronics - STD2HNK60Z

KEY Part #: K6416706

STD2HNK60Z Prezos (USD) [181403unidades de stock]

  • 1 pcs$0.20390
  • 2,500 pcs$0.18150

Número de peza:
STD2HNK60Z
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Unión programable and Diodos - Rectificadores - Arrays ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD2HNK60Z Atributos do produto

Número de peza : STD2HNK60Z
Fabricante : STMicroelectronics
Descrición : MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Serie : SuperMESH™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 280pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 45W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : DPAK
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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