NTD5C648NLT4G Prezos (USD) [80604unidades de stock]
- 1 pcs$0.48509
- Número de peza:
- NTD5C648NLT4G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- T6 60V LL DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
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- Ventaxa competitiva:
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NTD5C648NLT4G Atributos do produto
Número de peza :
NTD5C648NLT4G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
T6 60V LL DPAK
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
22A (Ta), 91A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.1 mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
17nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
2900pF @ 30V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
4.4W (Ta), 76W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
DPAK (SINGLE GAUGE)
Paquete / Estuche :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3