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- Número de peza:
- IRL6372PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unión programable, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRL6372PBF electronic components. IRL6372PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRL6372PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRL6372PBF Atributos do produto
Número de peza :
IRL6372PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 10µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1020pF @ 25V
Potencia: máx :
2W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
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