BSC027N06LS5ATMA1 Prezos (USD) [96020unidades de stock]
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- 5,000 pcs$0.37362
- Número de peza:
- BSC027N06LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Zener - Single and Transistores - IGBTs - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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BSC027N06LS5ATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSC027N06LS5ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 49µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
30nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4400pF @ 30V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
83W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TDSON-8
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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