STW56N65DM2 Prezos (USD) [7571unidades de stock]
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- 10 pcs$4.58108
- 100 pcs$3.76666
- 500 pcs$3.15585
- Número de peza:
- STW56N65DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 650V 48A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Módulos de controlador de enerxía, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
- Ventaxa competitiva:
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STW56N65DM2 Atributos do produto
Número de peza :
STW56N65DM2
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 650V 48A
Serie :
MDmesh™ DM2
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
48A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
88nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4100pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
360W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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