Infineon Technologies - IDW30E60FKSA1

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IDW30E60FKSA1 Prezos (USD) [46235unidades de stock]

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Número de peza:
IDW30E60FKSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - RF, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Arrays and Transistores - IGBTs - Módulos ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDW30E60FKSA1 Atributos do produto

Número de peza : IDW30E60FKSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrición : DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-3
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 600V
Actual - Media rectificada (Io) : 60A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 2V @ 30A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 143ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 40µA @ 600V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-247-3
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247-3
Temperatura de funcionamento: unión : -40°C ~ 175°C

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