C3M0075120D Prezos (USD) [3887unidades de stock]
- 1 pcs$11.14236
- Número de peza:
- C3M0075120D
- Fabricante:
- Cree/Wolfspeed
- Descrición detallada:
- MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Cree/Wolfspeed C3M0075120D electronic components. C3M0075120D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for C3M0075120D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
C3M0075120D Atributos do produto
Número de peza :
C3M0075120D
Fabricante :
Cree/Wolfspeed
Descrición :
MOSFET 1200V 75 MOHM G3 SIC
Serie :
C3M™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
30A
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
90 mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 5mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
54nC @ 15V
Vgs (máximo) :
+19V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1350pF @ 1000V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
113.6W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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