Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-8ETH03-1PBF

KEY Part #: K6442727

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Número de peza:
VS-8ETH03-1PBF
Fabricante:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición detallada:
DIODE GEN PURP 300V 8A TO262AA.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-8ETH03-1PBF Atributos do produto

Número de peza : VS-8ETH03-1PBF
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrición : DIODE GEN PURP 300V 8A TO262AA
Serie : Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®
Estado da parte : Discontinued at Digi-Key
Tipo de diodo : Standard
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) : 300V
Actual - Media rectificada (Io) : 8A
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se : 1.25V @ 8A
Velocidade : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) : 27ns
Actual - Fuga inversa @ Vr : 20µA @ 300V
Capacitancia @ Vr, F : -
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete / Estuche : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paquete de dispositivos de provedores : TO-262AA
Temperatura de funcionamento: unión : -65°C ~ 175°C

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