BSC019N06NSATMA1 Prezos (USD) [81641unidades de stock]
- 1 pcs$0.47894
- Número de peza:
- BSC019N06NSATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIFFERENTIATED MOSFETS.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - Finalidade especial, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Arrays and Módulos de controlador de enerxía ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSC019N06NSATMA1 electronic components. BSC019N06NSATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC019N06NSATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSC019N06NSATMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSC019N06NSATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIFFERENTIATED MOSFETS
Serie :
OptiMOS™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
100A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.3V @ 74µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5.25nF @ 30V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
136W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TDSON-8 FL
Paquete / Estuche :
8-PowerTDFN
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