APTM100A13DG Prezos (USD) [590unidades de stock]
- 1 pcs$78.99321
- 100 pcs$78.60021
- Número de peza:
- APTM100A13DG
- Fabricante:
- Microsemi Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Finalidade especial, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Diodos - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Single and Diodos: rectificadores de ponte ...
- Ventaxa competitiva:
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APTM100A13DG Atributos do produto
Número de peza :
APTM100A13DG
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET :
Standard
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V (1kV)
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 6mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
562nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
15200pF @ 25V
Potencia: máx :
1250W
Temperatura de operación :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
SP6
Paquete de dispositivos de provedores :
SP6
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