IXYS - IXFH7N100P

KEY Part #: K6395098

IXFH7N100P Prezos (USD) [14573unidades de stock]

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Número de peza:
IXFH7N100P
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH7N100P Atributos do produto

Número de peza : IXFH7N100P
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH
Serie : HiPerFET™, Polar™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 7A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 2590pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-247
Paquete / Estuche : TO-247-3