ON Semiconductor - HGTD1N120BNS9A

KEY Part #: K6423264

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Número de peza:
HGTD1N120BNS9A
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrición detallada:
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HGTD1N120BNS9A Atributos do produto

Número de peza : HGTD1N120BNS9A
Fabricante : ON Semiconductor
Descrición : IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Serie : -
Estado da parte : Active
Tipo IGBT : NPT
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) : 1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) : 5.3A
Actual - Coleccionista pulsado (Icm) : 6A
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic : 2.9V @ 15V, 1A
Potencia: máx : 60W
Enerxía de conmutación : 70µJ (on), 90µJ (off)
Tipo de entrada : Standard
Carga de porta : 14nC
Td (activado / apagado) a 25 ° C : 15ns/67ns
Condición da proba : 960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Tempo de recuperación inversa (trr) : -
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete / Estuche : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivos de provedores : TO-252AA