IRF1010NSPBF Prezos (USD) [13605unidades de stock]
- 1,000 pcs$0.33383
- Número de peza:
- IRF1010NSPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
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IRF1010NSPBF Atributos do produto
Número de peza :
IRF1010NSPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Serie :
HEXFET®
Estado da parte :
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
55V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
85A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
120nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3210pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
180W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
D2PAK
Paquete / Estuche :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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