F475R12KS4B11BOSA1 Prezos (USD) [789unidades de stock]
- 1 pcs$58.82174
- Número de peza:
- F475R12KS4B11BOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- IGBT MODULE VCES 600V 75A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos: rectificadores de ponte and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
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F475R12KS4B11BOSA1 Atributos do produto
Número de peza :
F475R12KS4B11BOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
IGBT MODULE VCES 600V 75A
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo IGBT :
-
Configuración :
Three Phase Inverter
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
100A
Potencia: máx :
500W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
3.75V @ 15V, 75A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
5.1nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
Yes
Temperatura de operación :
-40°C ~ 125°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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