[1109unidades de stock]
- Número de peza:
- IXFH80N08
- Fabricante:
- IXYS
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 80V 80A TO-247.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Unión programable, Tiristores: DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - Finalidade especial, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Diodos - Zener - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in IXYS IXFH80N08 electronic components. IXFH80N08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH80N08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFH80N08 Atributos do produto
Número de peza :
IXFH80N08
Fabricante :
IXYS
Descrición :
MOSFET N-CH 80V 80A TO-247
Serie :
HiPerFET™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
180nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4800pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247AD (IXFH)
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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