FQA8N100C Prezos (USD) [19564unidades de stock]
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- Número de peza:
- FQA8N100C
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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FQA8N100C Atributos do produto
Número de peza :
FQA8N100C
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
Serie :
QFET®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.45 Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3220pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
225W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-3PN
Paquete / Estuche :
TO-3P-3, SC-65-3
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