Número de peza :
APT70SM70B
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
POWER MOSFET - SIC
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
700V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
65A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 32.5A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
125nC @ 20V
Vgs (máximo) :
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Disipación de potencia (máx.) :
300W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247 [B]
Paquete / Estuche :
TO-247-3