FDD3510H Prezos (USD) [180396unidades de stock]
- 1 pcs$0.20504
- 2,500 pcs$0.19612
- Número de peza:
- FDD3510H
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Zener - Arrays, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Ventaxa competitiva:
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FDD3510H Atributos do produto
Número de peza :
FDD3510H
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrición :
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Serie :
PowerTrench®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N and P-Channel, Common Drain
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
80V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
4.3A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
800pF @ 40V
Potencia: máx :
1.3W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-252-4L
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