TSM2N7000KCT A3G Prezos (USD) [1502592unidades de stock]
- 1 pcs$0.02462
- Número de peza:
- TSM2N7000KCT A3G
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Módulos and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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TSM2N7000KCT A3G Atributos do produto
Número de peza :
TSM2N7000KCT A3G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrición :
MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
300mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.4nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
7.32pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
400mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-92
Paquete / Estuche :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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