IDW30G120C5BFKSA1 Prezos (USD) [3892unidades de stock]
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- 10 pcs$9.30862
- 100 pcs$7.56135
- 500 pcs$6.86492
- Número de peza:
- IDW30G120C5BFKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Unión programable, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - IGBTs - Arrays, Módulos de controlador de enerxía, Diodos: rectificadores de ponte and Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado ...
- Ventaxa competitiva:
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IDW30G120C5BFKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IDW30G120C5BFKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
DIODE GEN PURP 1200V 44A TO247-3
Serie :
CoolSiC™
Estado da parte :
Active
Configuración do diodo :
1 Pair Common Cathode
Tipo de diodo :
Silicon Carbide Schottky
Tensión - Inversión CC (Vr) (Max) :
1200V
Actual - Media rectificada (Io) (por diodo) :
44A (DC)
Tensión - Adiante (Vf) (Máx.) @ Se :
1.65V @ 15A
Velocidade :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de recuperación inversa (trr) :
-
Actual - Fuga inversa @ Vr :
124µA @ 1200V
Temperatura de funcionamento: unión :
-55°C ~ 175°C
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete / Estuche :
TO-247-3
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO247-3
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