DMN62D1LFB-7B Prezos (USD) [1359321unidades de stock]
- 1 pcs$0.02721
- Número de peza:
- DMN62D1LFB-7B
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Unión programable and Tiristores: DIACs, SIDACs ...
- Ventaxa competitiva:
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DMN62D1LFB-7B Atributos do produto
Número de peza :
DMN62D1LFB-7B
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
320mA (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
0.9nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
64pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
X1-DFN1006-3
Paquete / Estuche :
3-UFDFN
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- IPB80N04S304ATMA1
- SIPC08N60C3X1SA1
- BUK7Y53-100B,115
- SIUD406ED-T1-GE3