IXYS - IXFT120N15P

KEY Part #: K6416537

IXFT120N15P Prezos (USD) [15105unidades de stock]

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Número de peza:
IXFT120N15P
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 150V 120A TO-268.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: TRIAC, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos: rectificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT120N15P Atributos do produto

Número de peza : IXFT120N15P
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 150V 120A TO-268
Serie : PolarHT™ HiPerFET™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 150V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 120A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4900pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 600W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-268
Paquete / Estuche : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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