IPP80P04P4L08AKSA1 Prezos (USD) [13482unidades de stock]
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- Número de peza:
- IPP80P04P4L08AKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET P-CH TO220-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Ventaxa competitiva:
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IPP80P04P4L08AKSA1 Atributos do produto
Número de peza :
IPP80P04P4L08AKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET P-CH TO220-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Estado da parte :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
40V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
80A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 120µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
92nC @ 10V
Vgs (máximo) :
+5V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5430pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
75W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-TO220-3-1
Paquete / Estuche :
TO-220-3
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