Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrición :
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
18nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
870pF @ 25V
Disipación de potencia (máx.) :
1.3W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Estuche :
4-DIP (0.300", 7.62mm)