Número de peza :
APT80SM120J
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descrición :
POWER MOSFET - SIC
Estado da parte :
Obsolete
Tecnoloxía :
SiCFET (Silicon Carbide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1200V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
51A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
235nC @ 20V
Vgs (máximo) :
+25V, -10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
-
Disipación de potencia (máx.) :
273W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
SOT-227
Paquete / Estuche :
SOT-227-4, miniBLOC