FZ800R12KS4B2NOSA1 Prezos (USD) [85unidades de stock]
- 1 pcs$419.92099
- Número de peza:
- FZ800R12KS4B2NOSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MODULE IGBT A-IHM130-1.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: SCRs, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores: TRIAC, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Zener - Single ...
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FZ800R12KS4B2NOSA1 Atributos do produto
Número de peza :
FZ800R12KS4B2NOSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MODULE IGBT A-IHM130-1
Serie :
-
Estado da parte :
Not For New Designs
Tipo IGBT :
-
Configuración :
Single
Tensión - Desglose do emisor do coleccionista (máximo) :
1200V
Actual - Coleccionista (Ic) (máximo) :
1200A
Potencia: máx :
7600W
Vce (activado) (Máx.) @ Vge, Ic :
3.7V @ 15V, 800A
Actual - Corte do coleccionista (máximo) :
5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce :
52nF @ 25V
Entrada :
Standard
Termistor NTC :
No
Temperatura de operación :
-40°C ~ 125°C
Tipo de montaxe :
Chassis Mount
Paquete / Estuche :
Module
Paquete de dispositivos de provedores :
Module
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