DMG7N65SJ3 Prezos (USD) [97039unidades de stock]
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- Número de peza:
- DMG7N65SJ3
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrición detallada:
- MOSFET BVDSS 501V 650V TO251.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
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- Forma de envío:
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- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores: SCRs, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistores - Finalidade especial ...
- Ventaxa competitiva:
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DMG7N65SJ3 Atributos do produto
Número de peza :
DMG7N65SJ3
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET BVDSS 501V 650V TO251
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
650V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5.5A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
886pF @ 50V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-251
Paquete / Estuche :
TO-251-3, IPak, Short Leads
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