BSO615NGHUMA1 Prezos (USD) [209768unidades de stock]
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- Número de peza:
- BSO615NGHUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrición detallada:
- MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - Finalidade especial, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor and Transistores - Unión programable ...
- Ventaxa competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies BSO615NGHUMA1 electronic components. BSO615NGHUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO615NGHUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSO615NGHUMA1 Atributos do produto
Número de peza :
BSO615NGHUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrición :
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Serie :
SIPMOS®
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Función FET :
Logic Level Gate
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
60V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 20µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
380pF @ 25V
Potencia: máx :
2W
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos de provedores :
PG-DSO-8
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