IXFX21N100F Prezos (USD) [4525unidades de stock]
- 1 pcs$11.40645
- 10 pcs$10.55027
- 100 pcs$9.01035
- Número de peza:
- IXFX21N100F
- Fabricante:
- IXYS-RF
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Módulos de controlador de enerxía, Transistores - Unión programable, Transistores - Finalidade especial, Transistores - JFETs, Tiristores: TRIAC, Tiristores: SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolar (BJT) - Individual ...
- Ventaxa competitiva:
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IXFX21N100F Atributos do produto
Número de peza :
IXFX21N100F
Fabricante :
IXYS-RF
Descrición :
MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3
Serie :
HiPerRF™
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
1000V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
21A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
500 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.5V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
160nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
5500pF @ 25V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
500W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
PLUS247™-3
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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