STW58N60DM2AG Prezos (USD) [7952unidades de stock]
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- 10 pcs$4.36293
- 100 pcs$3.58730
- 500 pcs$3.00557
- Número de peza:
- STW58N60DM2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 600V 50A.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - JFETs, Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - RF, Tiristores: TRIAC, Transistores - IGBTs - Arrays and Diodos - Rectificadores - Solteiros ...
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STW58N60DM2AG Atributos do produto
Número de peza :
STW58N60DM2AG
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrición :
MOSFET N-CH 600V 50A
Serie :
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
600V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
50A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
4100pF @ 100V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
360W (Tc)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores :
TO-247
Paquete / Estuche :
TO-247-3
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