IXYS - IXFT140N10P

KEY Part #: K6394836

IXFT140N10P Prezos (USD) [15105unidades de stock]

  • 1 pcs$3.01617
  • 30 pcs$3.00117

Número de peza:
IXFT140N10P
Fabricante:
IXYS
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 100V 140A TO-268.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Tiristores: DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Finalidade especial ...
Ventaxa competitiva:
We specialize in IXYS IXFT140N10P electronic components. IXFT140N10P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFT140N10P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT140N10P Atributos do produto

Número de peza : IXFT140N10P
Fabricante : IXYS
Descrición : MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
Serie : HiPerFET™, PolarHT™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 100V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 140A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 4700pF @ 25V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 600W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : TO-268
Paquete / Estuche : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA