STMicroelectronics - STP2N95K5

KEY Part #: K6398515

STP2N95K5 Prezos (USD) [51668unidades de stock]

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Número de peza:
STP2N95K5
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 950V 2A TO220.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Individual, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - JFETs and Transistores - IGBTs - Single ...
Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP2N95K5 Atributos do produto

Número de peza : STP2N95K5
Fabricante : STMicroelectronics
Descrición : MOSFET N-CH 950V 2A TO220
Serie : SuperMESH5™
Estado da parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 950V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 2A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (máximo) : 30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 105pF @ 100V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 45W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Through Hole
Paquete de dispositivos de provedores : TO-220
Paquete / Estuche : TO-220-3

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