TPN4R303NL,L1Q Prezos (USD) [247410unidades de stock]
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- Número de peza:
- TPN4R303NL,L1Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Rectificadores - Arrays, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos, Diodos: rectificadores de ponte, Diodos - Rectificadores - Solteiros, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays ...
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TPN4R303NL,L1Q Atributos do produto
Número de peza :
TPN4R303NL,L1Q
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrición :
MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
Serie :
U-MOSVIII-H
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
40A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 200µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
14.8nC @ 10V
Vgs (máximo) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1400pF @ 15V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
700mW (Ta), 34W (Tc)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Estuche :
8-PowerVDFN
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