RQ6C050UNTR Prezos (USD) [615676unidades de stock]
- 1 pcs$0.06008
- 3,000 pcs$0.05384
- Número de peza:
- RQ6C050UNTR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrición detallada:
- MOSFET N-CH 20V 5A TSMT.
- Prazo de entrega estándar do fabricante:
- En stock
- Vida útil:
- Un ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pago:
-
- Forma de envío:
- Categorías familiares:
- KEY Components Co, LTD é un distribuidor de compoñentes electrónicos que ofrece categorías de produtos, incluíndo: Transistores - Bipolar (BJT) - Único, pre-sesgado, Tiristores: TRIAC, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitancia variable (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Arrays, Transistores - Bipolar (BJT) - Arrays, previos and Diodos - Zener - Single ...
- Ventaxa competitiva:
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RQ6C050UNTR Atributos do produto
Número de peza :
RQ6C050UNTR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT
Serie :
-
Estado da parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
5A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
12nC @ 4.5V
Vgs (máximo) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
900pF @ 10V
Función FET :
-
Disipación de potencia (máx.) :
1.25W (Ta)
Temperatura de operación :
150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
TSMT6 (SC-95)
Paquete / Estuche :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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