Número de peza :
ZXMN2A02N8TA
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrición :
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8-SOIC
Tecnoloxía :
MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) :
20V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C :
8.3A (Ta)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
18.9nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1900pF @ 10V
Disipación de potencia (máx.) :
1.56W (Ta)
Temperatura de operación :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe :
Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores :
8-SO
Paquete / Estuche :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)