Nexperia USA Inc. - PHK18NQ03LT,518

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Número de peza:
PHK18NQ03LT,518
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrición detallada:
MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC.
Prazo de entrega estándar do fabricante:
En stock
Vida útil:
Un ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pago:
Forma de envío:
Categorías familiares:
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Ventaxa competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PHK18NQ03LT,518 Atributos do produto

Número de peza : PHK18NQ03LT,518
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrición : MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
Serie : TrenchMOS™
Estado da parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnoloxía : MOSFET (Metal Oxide)
Escorrer a voltaxe de orixe (Vdss) : 30V
Corrente: drenaxe continua (Id) a 25 ° C : 20.3A (Tc)
Tensión da unidade (Rds máx., Rds mín.) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA
Carga de porta (Qg) (máximo) @ Vgs : 10.6nC @ 4.5V
Vgs (máximo) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds : 1380pF @ 12V
Función FET : -
Disipación de potencia (máx.) : 6.25W (Tc)
Temperatura de operación : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe : Surface Mount
Paquete de dispositivos de provedores : 8-SO
Paquete / Estuche : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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